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SSM6L35FE,LM

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180毫安,100毫安 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.11444 3.11444
10+ 2.29599 22.95999
100+ 1.29937 129.93760
500+ 0.86045 430.22850
1000+ 0.65968 659.68300
2000+ 0.57363 1147.27600
4000+ 0.57363 2294.55200
8000+ 0.51627 4130.19200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.11445
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.11
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
  • 最大功率 150mW
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 供应商设备包装 ES6
  • 导通电阻 Rds(ON) 3欧姆 @ 50毫安, 4V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9.5皮法 @ 3V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 180毫安,100毫安

SSM6L35FE,LM 产品详情

  • 应用范围:高速开关/模拟开关
  • 极性:N-ch+P-ch
  • 生成:π-MOSⅥ/π-MOSⅣ
  • 内部连接:独立
  • AEC-Q101:合格(*)
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本/泰国

特色

  • 装配底座:1.0 V
  • 装配底座:20Ω
  • 装配底座:8.0Ω
  • 装配底座:4.0Ω
  • 装配底座:3.0Ω
  • 装配底座:9.5 pF
  • 装配底座:-1.0 V
  • 装配底座:8.0Ω
  • 装配底座:11Ω
  • 装配底座:22Ω
  • 装配底座:44Ω
  • 装配底座:12.2 pF

应用

高速开关/模拟开关
SSM6L35FE,LM所属分类:场效应晶体管阵列,SSM6L35FE,LM 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM6L35FE,LM价格参考¥3.114447,你可以下载 SSM6L35FE,LM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM6L35FE,LM规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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