9icnet为您提供由Advanced Linear Devices Inc.股份有限公司设计和生产的ALD1110ESAL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。ALD1110ESAL参考价格为7.14840美元。Advanced Linear Devices股份有限公司ALD1110ESAL封装/规格：MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC。您可以下载ALD1110ESAL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如ALD1110ESAL价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
ALD110914SAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC，包括EPADR系列，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SOIC供应商器件封装，该器件也可以用作2 N通道（双）匹配对FET类型。此外，最大功率为500mW，该器件提供10.6V漏极到源极电压Vdss，该器件具有2.5pF@5V的输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为12mA，3mA，Rds On Max Id Vgs为500 Ohm@5.4V，Vgs th Max Id为1.42V@1μa。
ALD110914PAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP，包括1.42V@1μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-PDIP供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于EPADR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如500 Ohm@5.4V，功率最大设计为500mW，以及管封装，该器件也可作为8-DIP（0.300“，7.62mm）封装盒使用，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有2.5pF@5V的输入电容Cis-Vds，FET类型为2 N通道（双）匹配对，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为10.6V，电流连续漏极Id 25°C为12mA，3mA。
ALD110EPAL是MOSFET 2N-CH 10V 8DIP，包括10V漏极到源极电压Vdss，它们设计为与标准FET功能一起工作，FET类型如数据表注释所示，用于2 N通道（双）匹配对，提供输入电容Cis-Vds功能，如2.5pF@5V，安装类型设计为在通孔中工作，它的工作温度范围为0°C~70°C（TJ），该器件也可以用作8-DIP（0.300“，7.62mm）封装盒。此外，封装为管状，该器件的最大功率为600mW，该器件具有500欧姆@5V的Rds On Max Id Vgs，系列为EPADR，供应商器件封装为8-PDIP，Vgs th Max Id为1.01V@1μa。
