9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4933DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4933DY-T1-E3参考价格为1.068美元。Vishay Siliconix SI4933DY-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC。您可以下载SI4933DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4932DY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作。数据表注释中显示了SI4932DX-GE3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为8-SO，配置为双双漏极，FET类型为2 N通道（双），最大功率为3.2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1750pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs上的Rds为15 mOhm@7A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为48nC@10V，Pd功耗为2W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为15 mOhm，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是26ns，并且典型接通延迟时间是21ns，并且沟道模式是增强。
SI4932DY-T1是由VISHAY制造的MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC。SI4932DY-T1采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC。
SI4932DY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4932DY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
