9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4972DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4972DY-T1-E3参考价格为0.7436美元。Vishay Siliconix SI4972DY-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC。您可以下载SI4972DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4967DY-T1-E3是MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SO供应商器件封装，该器件也可以用作2 P通道（双）FET类型。此外，功率最大值为2W，器件提供12V漏极到源极电压Vdss，器件具有FET功能的逻辑电平门，最大Id Vgs上的Rds为23 mOhm@7.5A，4.5V，Vgs最大Id为450mV@250μa（最小），栅极电荷Qg Vgs为55nC@10V。
SI4967DY-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC，包括450mV@250μA（Min）Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如23 mOhm@7.5A，4.5V，功率最大设计为2W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有55nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V。
SI4971DY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4971DY-T1-E3采用SOP封装，是IC芯片的一部分。
