9icnet为您提供由松下电子元件公司设计和生产的MTM684110LBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MTM684110LBF价格参考0.81000美元。松下电子元件MTM684110LBF封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8-F1。您可以下载MTM684110LBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MTM684100LBF是MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装类型，数据表说明中显示了用于8-SMD扁平引线的封装盒，该封装盒提供Si等技术特性，其工作温度范围为-40°C~85°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作2信道数信道。此外，供应商设备包为WMini8-F1，该设备提供双配置，该设备具有2个P通道（双）FET型，最大功率为1W，晶体管类型为2个P信道，漏极至源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为1200pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.8A，Rds On Max Id Vgs为42 mOhm@1A，4V，Vgs th Max Id为1V@1mA，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为85 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为-4.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Rds导通漏极-漏极电阻为42mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为235ns，典型接通延迟时间为8ns，正向跨导最小值为3.5S，沟道模式为增强。
MTM684100LBFTR，带有松下制造的用户指南。是IC芯片的一部分。
MTM6841109SO，带有松下制造的电路图。MTM6841109SO有1206-8vs-8封装，是IC芯片的一部分。
