9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4974DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4974DY-T1-E3参考价格$1.08。Vishay Siliconix SI4974DY-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC。您可以下载SI4974DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4973DY-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SO供应商器件封装，该器件也可以用作2 P通道（双）FET类型。此外，功率最大值为1.1W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有FET功能的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5.8A，最大Id Vgs的Rds为23mOhm@7.6A，10V，Vgs最大Id为3V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为56nC@10V。
Si4974DY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-SO供应商器件包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如19 mOhm@8A，10V，Power Max设计用于1.1W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有11nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为6A，4.4A。
SI4973DY-T1-E3是MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC，包括5.8A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于56nC@10V，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），器件采用Digi-ReelR封装，器件最大功率为1.1W，Rds On Max Id Vgs为23 mOhm@7.6A，10V，系列为TrenchFETR，供应商器件封装为8-SO，Vgs th Max Id为3V@250μa。
Si4974ADY-T1-E3，采用30000VISHAY制造的EDA/CAD模型。Si4974ADY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
