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STL51N3LLH5是MOSFET N-Ch 30V 0.0105 Ohm 51A STripFET V，包括N沟道STripMOSFET系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如PowerFlat-8，技术设计用于Si，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为62.5 W，器件提供51 A Id的连续漏极电流，器件具有30 V的Vds漏极-源极击穿电压，Rds漏极源极电阻为14.5 mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为5 nC。
带有用户指南的STL50DN6F7是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET双N沟道60 V、MOSFET阵列2 N沟道（双）60V 57A（Tc）62.5W表面安装PowerFlat？（5x6）、Trans MOSFET N-CH 60V 57B 8引脚功率Flat EP T/R、MOSFET双N-沟道60伏、典型值9 mOhm、PowerFlat 5x6双岛封装中的57 A STripFET F7功率MOSFET。
STL50NH3LL是由ST制造的MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT6X5。STL50NH3LL以8-PowerVDFN封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 27B PWRFLAT6 X5、N沟道30V 27C（Tc）60W（Tc）表面安装PowerFlat？（6x5）。
