9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5509DC-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5509DC-T1-E3参考价格27.918美元。Vishay Siliconix SI5509DC-T1-E3封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8。您可以下载SI5509DC-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5504DC-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表说明中显示了用于8-SMD、扁平引线的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及1206-8 ChipFET？供应商设备包，该设备也可以用作N和P沟道FET类型。此外，最大功率为1.1W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为2.9A、2.1A，最大Id Vgs的Rds为85 mOhm@2.9A、10V，Vgs最大Id为1V@250μa（最小），栅极电荷Qg Vgs为7.5nC@10V。
SI5504DC-T1-E3是MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8，包括1V@250μA（最小）Vgs th Max Id，它们设计用于1206-8 ChipFET？供应商器件封装系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如85 mOhm@2.9A，10V，功率最大值设计为1.1W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作8-SMD，扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有7.5nC@10V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为2.9A，2.1A。
SI5504DC-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI5504DC-T1在SOT23-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
