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SI5509DC-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表说明中显示了用于8-SMD扁平引线的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及1206-8 ChipFET？供应商设备包，该设备也可以用作N和P沟道FET类型。此外，最大功率为4.5W，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有455pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为6.1A、4.8A，Rds On Max Id Vgs为52mOhm@5A、4.5V，Vgs th Max Id为2V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为6.6nC@5V。
SI5504DC-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8，包括1V@250μA（最小）Vgs th Max Id，它们设计用于1206-8 ChipFET？供应商设备包系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如85 mOhm@2.9A，10V，功率最大值设计为1.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作8-SMD，扁平引线封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有7.5nC@10V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为2.9A，2.1A。
SI5509DC-T1-E3是MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8，包括6.1A、4.8A电流连续漏极Id 25°C，设计用于20V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如N和P通道，栅极电荷Qg Vgs设计用于6.6nC@5V，除了455pF@10V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用8-SMD、扁平引线封装外壳，该器件具有Digi-ReelR封装，功率最大值为4.5W，Rds On Max Id Vgs为52 mOhm@5A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备包为1206-8 ChipFET？，Vgsth最大Id为2V@250μA。
