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SSM6N56FE,LM

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,1.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 800毫安 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.62145 3.62145
10+ 2.67987 26.79873
100+ 1.51593 151.59390
500+ 1.00386 501.93300
1000+ 0.76963 769.63100
2000+ 0.66924 1338.48800
4000+ 0.66924 2676.97600
8000+ 0.60232 4818.56000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.62145
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.62
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
  • 最大功率 150mW
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 场效应管特性 逻辑电平门,1.5V驱动
  • 供应商设备包装 ES6
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1nC@4.5V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 800毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 235毫欧姆@800毫安,4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 55皮法 @ 10V

SSM6N56FE,LM 产品详情

  • 应用范围:高速开关
  • 极性:N-ch×2
  • 世代:U-MOSⅦ-H
  • 内部连接:独立
  • 组件产品(Q1):SSM6N56FE
  • 组件产品(Q2):SSM6N56FE
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:泰国

特色

  • 装配底座:1.0 V
  • 装配底座:840 mΩ
  • 装配底座:480 mΩ
  • 装配底座:300 mΩ
  • 装配底座:235 mΩ
  • 装配底座:55 pF
  • 装配底座:1.0 nC

应用

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SSM6N56FE,LM所属分类:场效应晶体管阵列,SSM6N56FE,LM 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM6N56FE,LM价格参考¥3.621450,你可以下载 SSM6N56FE,LM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM6N56FE,LM规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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