9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5902DC-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5902DC-T1-E3参考价格为2.626美元。Vishay Siliconix SI5902DC-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8。您可以下载SI5902DC-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5902BDC-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作。数据表注释中显示了SI5902BDC E3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.002998盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及8-SMD扁平引线封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为1206-8 ChipFET？，并且配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为3.12W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Cis Vds为220pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4A，Rds On Max Id Vgs为65 mOhm@3.1A，10V，Vgs th Max Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为7nC@10V，Pd功耗为1.5W，其最大工作温度范围为+150℃，其最小工作温度范围是-55℃，下降时间为80ns 12ns，上升时间为80ns12ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为3.7A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极-源极电阻为65mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns 10ns，典型接通延迟时间为15ns 4ns，沟道模式为增强。
SI5902BDC-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供单位重量功能，如0.002998盎司，晶体管类型设计为在2 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为1206-8 ChipFET？，该器件采用TrenchFETR系列，该器件具有65 mOhm@3.1A、10V的Rds On Max Id Vgs，Rds On漏极-源极电阻为65 mOhms，功率最大值为3.12W，Pd功耗为1.5W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SMD，扁平引线，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为220pF@15V，Id连续漏极电流为3.7A，栅极电荷Qg Vgs为7nC@10V，FET类型为2N通道（双通道），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为4A，配置为双重。
SI5902DC-T1，电路图由SILICON制造。SI5902DC-T1在1206-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
