9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计生产的PMGD780SN，115，在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PMGD780SN，115参考价格0.42000美元。Nexperia USA Inc.股份有限公司PMGD780SN，115封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP。您可以下载PMGD780SN，115英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如PMGD780SN，115价格，库存数量，数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
PMGD370XN是MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6SSOP，包括TrenchMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及6-TSSOP供应商设备包，该设备也可以用作2 N通道（双）FET类型。此外，最大功率为410mW，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有37pF@25V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为740mA，最大Id Vgs上的Rds为440mOhm@200mA，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为0.65nC@4.5V。
PMGD400UN，115是MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSOP，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与6-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于TrenchMOS？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如480mOhm@200mA，4.5V，Power Max设计用于410mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有43pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为0.89nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为30V，25°C电流连续漏极Id为710mA。
PMGD780SN，带有NXP制造的电路图。PMGD780SN在SOT363封装中提供，是FET阵列的一部分。
