9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5519DU-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5519DU-T1-GE3参考价格为1.358美元。Vishay Siliconix SI5519DU-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V 6A芯片。您可以下载SI5519DU-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5517DU-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI5517DU-GE3中使用的零件别名，该SI5517DU-GE3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR CHIPFET中工作？Dual以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR ChipFet双供应商器件封装，配置为1 N通道1 P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为8.3W，晶体管类型为1 N信道1 P通道、漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为520pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs上的Rds为39 mOhm@4.4A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为16nC@8V，Pd功耗为2.3 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为10 ns 55 ns，上升时间为65 ns 35 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为7.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为32 mOhms 60 mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为40ns 40ns，典型接通延迟时间为20ns 8ns，信道模式为增强。
SI5515DC-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于8 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供单位重量功能，如0.002998盎司，晶体管类型设计用于1 N通道1 P通道，该器件还可以用作Si技术。此外，供应商设备包为1206-8 ChipFET？，该器件以TrenchFETR系列提供，该器件具有40 mOhm@4.4A、4.5V Rds On Max Id Vgs，最大功率为1.1W，Pd功耗为1.1W、封装为胶带和卷轴（TR），封装外壳为8-SMD、扁平引线，工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为4.4 A，栅极电荷Qg Vgs为7.5nC@4.5V，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平栅极，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏极Id为4.4A，3A，配置为1 N通道1 P通道。
SI5517DU-T1-E3是MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET，包括6A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供了N和P沟道等FET类型特性，栅极电荷Qg Vgs设计为在16nC@8V下工作，除了520pF@10V输入电容Cis Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用PowerPAKR ChipFET？双封装外壳，该器件具有Digi-ReelR封装，最大功率为8.3W，最大Id Vgs的Rds为39 mOhm@4.4A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商器件封装为PowerPAKR ChipFet Dual，Vgs最大Id为1V@250μa。
