9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5933DC-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5933DC-T1-E3参考价格为35.666美元。Vishay Siliconix SI5933DC-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8。您可以下载SI5933DC-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI5933CDC-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI5903DC-T1-GE3 SI5905DC-T1-GE3SI5905DC T1-GE3的零件别名，该SI5905DC-T1-GE3提供单位重量功能，例如0.002998盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及8-SMD扁平引线封装外壳中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为1206-8 ChipFET？，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），功率最大值为2.8W，晶体管类型为2 P-通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为276pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.7A，最大Id Vgs上的Rds为144 mOhm@2.5A、4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为6.8nC@5V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为2.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为144 mOhms，并且晶体管极性是P沟道。
SI5933DC，带有Vishay制造的用户指南。SI5933DC在1206A-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI5933DC-T1，带有KEXIN制造的电路图。SI5933DC-T1采用CHIP8L封装，是IC芯片的一部分。
