9icnet为您提供由Advanced Linear Devices Inc.股份有限公司设计和生产的ALD1102APAL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。ALD1102AAL参考价格为9.49360美元。先进线性器件股份有限公司ALD1102APAL封装/规格：MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP。您可以下载ALD1102PAL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ALD11101SAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC，它们设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），提供表面安装等安装型功能。供应商器件封装设计用于8-SOIC以及2 N沟道（双）匹配对FET类型，该器件也可用于500mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为10.6V，该器件采用标准FET特性，该器件具有75欧姆@5V的Rds On Max Id Vgs，Vgs th Max Id为1V@10μa。
ALD1101PAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP，包括1V@10μA Vgs和最大Id，它们设计为与8-PDIP供应商设备包一起工作，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于75 Ohm@5V，提供功率最大特性，如500mW，包装设计为在管中工作，以及8-DIP（0.300“，7.62mm）封装盒，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供2 N通道（双）匹配对FET类型，该器件具有FET特性标准，漏极到源极电压Vdss为10.6V。
ALD11101BSAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC，包括40mA电流连续漏极Id 25°C，设计用于10.6V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供了FET类型特性，如2 N通道（双）匹配对，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度范围为0°C~70°C（TJ），该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用。此外，该封装为管式，该器件的最大功率为500mW，该器件具有供应商器件封装的8-SOIC。
