9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5935DC-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5935DC-T1-E3参考价格为1.722美元。Vishay Siliconix SI5935DC-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8。您可以下载SI5935DC-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI5935CDC-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI5935CDC E3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.002998盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及8-SMD扁平引线封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为1206-8 ChipFET？，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），最大功率为3.1W，晶体管类型为2 P-通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为455pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4A，最大Id Vgs上的Rds为100 mOhm@3.1A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为11nC@5V，Pd功耗为1.3W，其最大工作温度范围为+150℃，其最小工作温度范围是-55℃，下降时间为32ns，上升时间为32s，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为3.1A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，并且Rds漏极-源极电阻为100毫欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为25纳秒，典型接通延迟时间为10纳秒，沟道模式为增强。
SI5935CDC-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于8 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供单位重量功能，如0.002998盎司，晶体管类型设计用于2 P沟道，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为1206-8 ChipFET？，该器件以TrenchFETR系列提供，该器件具有100 mOhm@3.1A、4.5V的Rds On Max Id Vgs，Rds On漏极-源极电阻为100 mOhms，功率最大值为3.1W，Pd功耗为1.3 W，零件别名为SI5935CDC-GE3 SIR814DP-T1-GE3，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SMD，扁平引线，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为455pF@10V，Id连续漏电流为3.1 A，栅极电荷Qg Vgs为11nC@5V，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4A，配置为双。
SI5935CDC-TI-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SI5935CDC-TI-GE3在TSOP8封装中提供，是IC芯片的一部分。
