9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5938DU-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5938DU-T1-E3参考价格为0.884美元。Vishay Siliconix SI5938DU-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 6A 8PWRPAK。您可以下载SI5938DU-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI5936DU-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR ChipFET中工作？Dual以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR ChipFet双重供应商器件封装，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为10.4W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为320pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs的Rds为30 mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为11nC@10V，Pd功耗为2.3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为65ns，Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为30mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型导通延迟时间为15 ns，Qg栅极电荷为11nC，并且前向跨导Min为11S，并且信道模式为增强。
SI5935DC-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1206-8 ChipFET？供应商设备包系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如86 mOhm@3A，4.5V，功率最大值设计为1.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作8-SMD，扁平引线封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有8.5nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3A。
SI5935DC-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 3A 1206-8，包括3A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在8.5nC@4.5V下工作，以及表面安装安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，封装外壳为8-SMD，扁平引线，器件采用Digi-ReelR封装，器件的最大功率为1.1W，最大Id Vgs的Rds为86mOhm@3A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商器件封装为1206-8 ChipFET？，Vgsth最大Id为1V@250μA。
