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PMGD175XN,115是MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSOP,包括Digi-ReelR封装,它们设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),提供表面安装等安装类型功能,该器件还可以用作390mW最大功率。此外,漏极到源极电压Vdss为30V,该器件提供75pF@15V输入电容Cis-Vds,该器件具有FET特性的逻辑电平门,25°C的电流连续漏极Id为900mA,最大Id Vgs的Rds为225mOhm@1A,4.5V,Vgs th最大Id为1.5V@250μa,栅极电荷Qg-Vgs为1.1nC@4.5V。
PMGD175XNEX是MOSFET 2N-CH 30V SC-881,更多PMGD175X信息请联系技术支持团队。
PMGD280UN,带有NXP制造的电路图。PMGD280UN在SOT-363封装中提供,是FET阵列的一部分。