9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4622DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4622DY-T1-GE3参考价格为2.64美元。Vishay Siliconix SI4622DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC。您可以下载SI4622DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SI4622DY-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
Si4622DY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC，包括SkyFETR、TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SO供应商器件封装，该器件也可以用作2 N通道（双通道）FET类型。此外，功率最大值为3.3W，3.1W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有2458pF@15V输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs上的Rds为16mOhm@9.6A，10V，Vgs最大Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为60nC@110V。
SI4620DY-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI4620DY-T1-E3。SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
SI4621DY-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC。SI4621DY-T1-E3采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-SOIC、P沟道20V 6.2A（Tc）2W（Ta）、3.1W（Tc）表面安装8-SO。
