9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4650DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4650DY-T1-E3价格参考1.98美元。Vishay Siliconix SI4650DY-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC。您可以下载SI4650DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4646DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4646DY-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于SOIC-Norrow-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单肖特基二极管，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有6.25 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为11.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为29ns，典型接通延迟时间为23ns，沟道模式为增强。
Si4646DY-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如23 ns，典型的关闭延迟时间设计为29 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为13ns，器件的漏极-源极电阻为11.5mOhms，Pd功耗为6.25W，零件别名为SI4646DY-E3，封装为卷轴，封装外壳为SOIC窄-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为12 A，下降时间为12 ns，配置为单肖特基二极管，通道模式为增强型。
SI4646DY，带有VISHAY制造的电路图。SI4646DY在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
