9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4670DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4670DY-T1-E3参考价格为0.654美元。Vishay Siliconix SI4670DY-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC。您可以下载SI4670DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SI4670DY-T1-E3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI4668DY-T1-GE3是MOSFET 25V 16.2A 5.0W 10.5mohm@10V，包括卷轴封装，它们设计用于SI4668DY-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOIC窄8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为11.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Rds导通漏极-漏极电阻为10.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为73ns，典型接通延迟时间为21ns，沟道模式为增强型。
SI4668DY-T1-E3是MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如21 ns，典型的关闭延迟时间设计为73 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件以12 ns上升时间提供，器件具有10.5 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为2.5 W，零件别名为SI4668DY-E3，封装为卷轴，封装外壳为SOIC窄8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为11.5 A，下降时间为18 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4670DY，带有SI制造的电路图。SI4670D采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
