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STS2DNF30L

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.74990 7.74990
10+ 6.89524 68.95241
100+ 5.37640 537.64050
500+ 4.44134 2220.67300
1000+ 3.71886 3718.86700
2500+ 3.71886 9297.16750
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.02561
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.75
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规格参数

  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 最大功率 2W
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.5nC @ 10V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3A
  • 导通电阻 Rds(ON) 110欧姆@1A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 121华氏度@25伏

STS2DNF30L 产品详情

该功率MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。

特色

  • 自动表面安装组件的标准外形
  • 低阈值门驱动
STS2DNF30L所属分类:场效应晶体管阵列,STS2DNF30L 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STS2DNF30L价格参考¥7.025613,你可以下载 STS2DNF30L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STS2DNF30L规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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