9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4830CDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4830CDY-T1-GE3参考价格为1.018美元。Vishay Siliconix SI4830CDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC。您可以下载SI4830CDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4830CDY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC，包括LITTLE FOOTR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作。数据表注释中显示了SI4830CDY-E3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ（半桥），功率最大值为2.9W，晶体管类型为2 N沟道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为950pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8A，Rds On Max Id Vgs为20 mOhm@8A，10V，Vgs th Max Id为3V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为25nC@10V，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为12ns，上升时间为12s，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为5.7A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为20mOhms，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为18ns 18ns，并且典型接通延迟时间为17ns，并且沟道模式为增强。
SI4830CDY，带有SI制造的用户指南。SI4830CPY以SOP-8封装形式提供，是FET阵列的一部分。
SI4830CDY-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI4830CDY-T1采用SO-8封装，是FET阵列的一部分。
