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PMDT290UCE，115是MOSFET N/P-CH 20V SOT666，包括Automotive、AEC-Q101、TrenchMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如SOT-563、SOT-666中使用的数据表注释所示，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及SOT-6660供应商设备包，该设备也可以用作N和P通道FET类型。此外，最大功率为500mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有83pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为800mA、550mA，Rds On Max Id Vgs为380mOhm@500mA、4.5V，Vgs th Max Id为0.95V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为0.68nC@4.5V。
PMDT290UNE，115是MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666，包括950mV@250μA Vgs th Max Id，设计用于SOT-666供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于汽车、AEC-Q101、TrenchMOS？、？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如380 mOhm@500mA，4.5V，Power Max设计为工作在500mW，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作SOT-563、SOT-666包装箱，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用表面安装安装型，该器件具有83pF@10V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为0.68nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为800mA。
PMDT290UCE115是NXP制造的MOSFET N/P-CH 20V SOT666。PMDT290UCE115采用SOT-563、SOT-666封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET N/P-CH 20V SOT666。
