9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4228DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4228DY-T1-GE3参考价格为0.91000美元。Vishay Siliconix SI4228DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC。您可以下载SI4228DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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Si4228DY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。Si4228DY-GE3中使用的数据表注释中显示了零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ，最大功率为3.1W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Cis-Vds为790pF@12.5V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs上的Rds为18 mOhm@7A，10V，Vgs最大Id为1.4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为25nC@10V，Pd功耗为3.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Rds漏极源极电阻为15 mΩ，晶体管极性为N沟道。
SI4226DY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC，包括2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-SO供应商器件封装一起工作，系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如19.5 mOhm@7A，4.5V，Power Max设计用于3.2W，以及Digi-ReelR替代封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1255pF@15V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为36nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），且FET特性为标准，漏极至源极电压Vdss为25V，电流连续漏极Id 25°C为8A。
SI4228DY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO，包括8A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为与25V漏极到源极电压Vdss一起工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N沟道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在25nC@10V下工作，除了790pF@12.5V输入电容Cis-Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），最大功率为3.1W，最大Id Vgs的Rds为18mOhm@7A，10V，系列为TrenchFETR，供应商器件封装为8-SO，Vgs最大Id为1.4V@250μa。
Si4228DY，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。Si4228DY在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
