9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7980DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7980DP-T1-GE3参考价格为1.05000美元。Vishay Siliconix SI7980DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8。您可以下载SI7980DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7973DP-T1-GE3是MOSFET 12V 12.8A 3.5W 15mohm@4.5V，包括卷筒包装，它们设计用于SI7973DP-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SO-8，以及Si技术，该设备也可以用作2信道数信道。此外，该配置是双重的，该器件提供2 P沟道晶体管类型，该器件具有1.4 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为8.2 a，Vds漏极-源极击穿电压为-12 V，漏极-源极电阻Rds为15毫欧姆，晶体管极性为P沟道。
SI7980DP-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于PowerPAKR SO-8双供应商器件封装，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如22mOhm@5A，10V，Power Max设计用于19.8W，21.9W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作PowerPAKR SO-8双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1010pF@10V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为27nC@10V，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为8A。
SI7970DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI7970DP-T1-E3采用QFN-8封装，是IC芯片的一部分。
