9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4910DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4910DY-T1-GE3参考价格20.392美元。Vishay Siliconix SI4910DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC。您可以下载SI4910DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4909DY-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ，最大功率为3.2W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为2000pF@20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs的Rds为27mOhm@8A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为63nC@10V，Pd功耗为3.2W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-40 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为-1.2 V至-2.5 V，Rds导通漏极-源极电阻为27mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为21.7nC，正向跨导最小值为22S，沟道模式为增强。
SI4910DY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC，包括2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-SO供应商器件包一起工作，系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如27 mOhm@6A，10V，Power Max设计用于3.1W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有855pF@220V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为32nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），且FET功能为标准，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为7.6A。
SI4909DY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4909DY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
