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BUK7K17-60EX，带引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了SOT-1205，8-LFPAK56中使用的封装盒，该封装盒提供Si等技术特性，工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作2信道数信道。此外，供应商设备包为LFPAK56D，该设备为2 N通道（双）FET型，该设备最大功率为53W，晶体管类型为2 N信道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为1578pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为30A，最大Id Vgs为14mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为23.6nC@10V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，漏极-漏极电阻为12mOhm，晶体管极性为N沟道。
BUK7K18-40E带有用户指南，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，提供0.017870 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为6.2 ns，以及7.9 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为12.7 ns，漏极-源极电阻Rds为15.5 mOhms，Qg栅极电荷为11.8nC，Pd功耗为38 W，封装为卷轴式，封装盒为SO-8，沟道数为2沟道，安装方式为SMD/SMT，并且Id连续漏极电流是22A，并且下降时间是10ns，并且配置是双重的，并且信道模式是增强的。
BUK7K18-40EX带电路图，包括24.2A电流连续漏极Id 25°C，设计用于40V漏极到源极电压Vdss，FET功能如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型功能，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于11.8nC@10V，以及808pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用SOT-1205，8-LFPAK56封装盒，该设备具有Digi-ReelR替代封装，功率最大值为38W，Rds On Max Id Vgs为19mOhm@10A，10V，供应商设备封装为LFPAK56D，技术为Si，Vgs th Max Id为4V@1mA。
