9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4226DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4226DY-T1-GE3参考价格为0.73美元。Vishay Siliconix SI4226DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC。您可以下载SI4226DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4226DY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作。数据表注释中显示了SI4226DY E3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ，最大功率为3.2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Cis-Vds为1255pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs上的Rds为19.5 mOhm@7A，4.5V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为36nC@10V，Pd功耗为2 W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为8 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为7.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Rds漏极源极电阻为19.5 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为14ns，信道模式为增强。
SI4221-GM，带有SILICON制造的用户指南。SI4221-GM采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
SI4226DY，带有SI制造的电路图。SI4226D在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
