9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4914BDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4914BDY-T1-GE3参考价格为0.674美元。Vishay Siliconix SI4914BDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC。您可以下载SI4914BDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4914BDY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC，包括LITTLE FOOTR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作。数据表注释中显示了SI4914BDY-E3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ（半桥），功率最大值为2.7W、3.1W，晶体管类型为2 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为8.4A、8A，Rds On最大值Id Vgs为21mOhm@8A、10V，Vgs th最大值Id为2.7V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为10.5nC@4.5V，Pd功耗为1.7W 2 W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为10 ns 9 ns，上升时间为10纳秒9 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为23 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为9ns 10ns，信道模式为增强。
SI4913TR带有IR制造的用户指南。SI4913TR采用SO-3.9封装，是IC芯片的一部分。
SI4914BDY，带有VISHAY制造的电路图。SI4914BDY在SOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
