9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4561DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4561DY-T1-GE3参考价格为0.590266美元。Vishay Siliconix SI4561DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC。您可以下载SI4561DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI4561DY-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI4561DY-T1-E3是MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SO供应商设备包，该设备也可以用作N和P沟道FET类型。此外，功率最大值为3W，3.3W，该器件提供40V漏极到源极电压Vdss，该器件具有640pF@20V的输入电容Cis Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为6.8A，7.2A，Rds On Max Id Vgs为35.5 mOhm@5A，10V，Vgs th Max Id为3V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V。
SI4559EY-T1-E3是由VISHAY制造的Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.1A 8引脚SOIC N T/R。SI4559EY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.1A 8引脚SOIC N T/R。
SI4559EY-TI，电路图由ISSI制造。SI4559EY-TI采用SOIC8封装，是IC芯片的一部分。
