9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5904DC-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5904DC-T1-GE3价格参考1.426美元。Vishay Siliconix SI5904DC-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8。您可以下载SI5904DC-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5903DC-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表说明中显示了用于8-SMD扁平引线的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及1206-8 ChipFET？供应商设备包，该设备也可以用作2 P通道（双）FET类型。此外，功率最大值为1.1W，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有FET功能的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.1A，最大Id Vgs的Rds为155 mOhm@2.1A，4.5V，Vgs最大Id为600mV@250μa（最小），栅极电荷Qg Vgs为6nC@4.5V。
SI5904DC-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1206-8 ChipFET？供应商器件封装系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如75 mOhm@3.1A，4.5V，功率最大值设计为1.1W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-SMD，扁平引线封装外壳使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有6nC@4.5V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为3.1A。
SI5904DC-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 20V 3.1A 8引脚片式FET T/R。SI5904DC-T1采用1206-8封装，是FET阵列的一部分，支持Trans MOSFET N-CH 20V 3.1A 8引脚芯片FET T/R。
