9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5933CDC-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5933CDC-T1-GE3参考价格为0.574美元。Vishay Siliconix SI5933CDC-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8。您可以下载SI5933CDC-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI5933CDC-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作。数据表注释中显示了SI5933CDC-E3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.002998盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及8-SMD扁平引线封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为1206-8 ChipFET？，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），功率最大值为2.8W，晶体管类型为2 P-通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为276pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.7A，最大Id Vgs上的Rds为144 mOhm@2.5A、4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为6.8nC@5V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为34ns，上升时间为34s，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为2.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds漏极-源极电阻为144mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为1ns，沟道模式为增强。
SI5920DC-T1-E3是MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1206-8 ChipFET？供应商器件封装系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如32 mOhm@6.8A，4.5V，功率最大值设计为3.12W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-SMD，扁平引线封装外壳使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有680pF@4V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为8V，电流连续漏极Id 25°C为4A。
SI5920DC-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8，包括4A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为与8V漏极到源极电压Vdss一起工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在12nC@5V下工作，除了680pF@4V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-SMD扁平引线封装盒，该器件具有Digi-ReelR封装，最大功率为3.12W，最大Id Vgs上的Rds为32 mOhm@6.8A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备包为1206-8 ChipFET？，Vgsth最大Id为1V@250μA。
