9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5947DU-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5947DU-T1-GE3价格参考1.986美元。Vishay Siliconix SI5947DU-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET。您可以下载SI5947DU-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5944DU-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表注释中显示了用于SI5944DU GE3的零件别名，该SI5944U-GE3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计用于PowerPAKR ChipFET？Dual以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR ChipFet双重供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为10W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为210pF@20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs上的Rds为112 mOhm@3.3A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为6.6nC@10V，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6 ns，上升时间为30ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为3.28A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为112mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型导通延迟时间为4ns，Qg栅极电荷为6.6nC，正向跨导Min为6.88S，信道模式为增强。
SI5947DU-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 6A 8PWRPAK，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于PowerPAKR ChipFet双供应商器件封装，该系列在数据表说明中显示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如58mOhm@3.6A，4.5V，Power Max设计用于10.4W，以及Digi-ReelR封装，该器件还可以用作PowerPAKR ChipFET？双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有480pF@10V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为17nC@10V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏极Id为6A。
SI5944DU-T1-E3是MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK，包括6A电流连续漏极Id 25°C，它们设计用于40V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于6.6nC@10V，除了210pF@220V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用PowerPAKR ChipFET？双封装外壳，该器件具有Digi-ReelR封装，功率最大为10W，最大Id Vgs的Rds为112 mOhm@3.3A，10V，系列为TrenchFETR，供应商器件封装为PowerPAKR ChipFet Dual，Vgs最大Id为3V@250μa。
