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SI5975DC-T1-E3是MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表说明中显示了用于8-SMD扁平引线的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及1206-8 CHIPFET？供应商设备包，该设备也可以用作2 P通道（双）FET类型。此外，功率最大值为1.1W，该器件提供12V漏极到源极电压Vdss，该器件具有FET功能的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.1A，最大Id Vgs的Rds为86 mOhm@3.1A，4.5V，Vgs最大Id为450mV@1mA（最小），栅极电荷Qg Vgs为9nC@4.5V。
SI5975DC-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET，包括450mV@1mA（最小）Vgs th Max Id，它们设计用于1206-8 CHIPFET？供应商设备包系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如86 mOhm@3.1A，4.5V，功率最大值设计为1.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作8-SMD，扁平引线封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有9nC@4.5V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V，25°C的电流连续漏极Id为3.1A。
SI5975DC-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI5975DC-T1在SOT23-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
