9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7530DP-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7530DP-T1-E3参考价格$2.324。Vishay Siliconix SI7530DP-T1-E3封装/规格：MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8。您可以下载SI7530DP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI-7510是IC BRIDGE DRIVER标准杆数30DIP，包括管包装，它们设计用于30-DIP（0.400“，10.16mm）封装外壳，数据表中显示了用于功率MOSFET的技术，其工作温度范围为-10°C~150°C（TJ），安装型设计用于通孔，以及驱动器-完全集成、控制和功率级功能，该设备也可作为通用应用。此外，该接口是并联的，该设备提供3 V~5.5 V电压供应，该设备具有供应商设备包的30-DIP，电流输出为6A，输出配置为半桥（5），电压负载为10 V~42 V，电机型步进器为多相，阶跃分辨率为1，1/2。
SI7501DN-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR 1212-8双供应商器件包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如35 mOhm@7.7A，10V，Power Max设计为1.6W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作PowerPAKR 1212-8双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有14nC@110V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P沟道，公共漏极，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏电流Id为5.4A、4.5A。
SI7530DP带有SI制造的电路图。SI7530DPQFN-8封装，是FET阵列的一部分。
