该功率MOSFET是STMicroelectris独特的“单特征尺寸条形工艺”的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。
特征
1.典型RDS(开)(N通道)=0.018Ω
2.典型RDS(开)(P通道)=0.070Ω
3.易于自动表面安装装配的标准轮廓
4.低阈值驱动
应用
1.直流/直流转换器
2.游牧设备中的电池管理
3.移动电话中的电源管理
文件中的其他数据表:S7C4F30L
起订量: 1
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该功率MOSFET是STMicroelectris独特的“单特征尺寸条形工艺”的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。
特征
1.典型RDS(开)(N通道)=0.018Ω
2.典型RDS(开)(P通道)=0.070Ω
3.易于自动表面安装装配的标准轮廓
4.低阈值驱动
应用
1.直流/直流转换器
2.游牧设备中的电池管理
3.移动电话中的电源管理
文件中的其他数据表:S7C4F30L
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