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STS7C4F30L

  • 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A, 4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥917.87823
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥917.88
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规格参数

  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 场效应管类型 N和P通道
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 部件状态 过时的
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 最大功率 2W
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7A, 4A
  • 导通电阻 Rds(ON) 22毫欧姆@3.5A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 23nC@5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1050皮法@25V

STS7C4F30L 产品详情

该功率MOSFET是STMicroelectris独特的“单特征尺寸条形工艺”的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、崎岖的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。

特征

1.典型RDS(开)(N通道)=0.018Ω
2.典型RDS(开)(P通道)=0.070Ω
3.易于自动表面安装装配的标准轮廓
4.低阈值驱动

应用

1.直流/直流转换器
2.游牧设备中的电池管理
3.移动电话中的电源管理

文件中的其他数据表:S7C4F30L

STS7C4F30L所属分类:场效应晶体管阵列,STS7C4F30L 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STS7C4F30L价格参考¥917.878231,你可以下载 STS7C4F30L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STS7C4F30L规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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