9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7222DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7222DN-T1-GE3参考价格为1.484美元。Vishay Siliconix SI7222DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8。您可以下载SI7222DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7220DN-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7220DN-1-GE3中使用的零件别名，该SI7220DN-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8 Dual以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR 1212-8双重供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为1.3W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为60V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.4A，最大Id Vgs的Rds为60 mOhm@4.8A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，Pd功耗为1.3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为3.4A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为60mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
SI7222DN-T1-E3是MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8，包括1.6V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR 1212-8双供应商器件包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如42 mOhm@5.7A，10V，Power Max设计为17.8W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作PowerPAKR 1212-8双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有700pF@220V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为29nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为40V，25°C的电流连续漏极Id为6A。
SI7222DN，带有SI制造的电路图。SI7222DN在QFN1212-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
