9icnet为您提供由东芝半导体和存储公司设计和生产的SSM6P41FE（TE85L，F），该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SSM6P41FE（TE85L，F）参考价格为0.44000美元。东芝半导体和存储SSM6P41FE（TE85L，F）封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6。您可以下载SSM6P41FE（TE85L，F）英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SSM6N7002FUTE85LF是MOSFET SMOS，包括卷盘封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，封装盒如数据表注释所示，用于US-6，提供Si等技术特性，通道数设计为在2通道中工作，以及双配置，该设备也可以用作2 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为72 ns，上升时间为72纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为200 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Vgs第栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds漏极-源极电阻为3.3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为69ns，典型接通延迟时间为18ns，正向跨导最小值为170mS，沟道模式为增强。
SSM6N7002KFU，LF，带用户指南，包括2.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与US6供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于1.5 Ohm@100mA，10V，提供功率最大功能，如285mW，包装设计为在Digi-ReelR备用包装中工作，以及6-TSSOP，SC-88，SOT-363包装箱，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供40pF@10V输入电容Cis-Vds，器件具有0.6nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为300mA。
SSM6N7002FU（TE85LF）是东芝制造的MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6。SSM6N7002FU（TE85LF）有6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6。
SSM6P05FU，带有TOSHIBA制造的EDA/CAD模型。SSM6P05FU以SC70-5封装形式提供，是IC芯片的一部分。
