9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7945DP-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7945DP-T1-E3参考价格为1.6美元。Vishay Siliconix SI7945DP-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8。您可以下载SI7945DP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7942DP-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表中显示了用于SI7942DP-GE3的零件别名，该SI7942DPE-GE3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SO-8双封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8双通道，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为1.4W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为100V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.8A，最大Id Vgs上的Rds为49 mOhm@5.9A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为24nC@10V，Pd功耗为1.4W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为15纳秒，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds导通漏极-漏极电阻为49毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35纳秒，典型的开启延迟时间为15ns，信道模式为增强。
SI7942DY-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI7942DY-T1-E3采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
SI7945DP带有SI制造的电路图。SI7945DPQFN-8封装，是FET阵列的一部分。
