9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7946DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7946DP-T1-GE3参考价格为0.964美元。Vishay Siliconix SI7946DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8。您可以下载SI7946DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7946DP-T1-E3是MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR封装一起工作，数据表说明中显示了用于PowerPAKR SO-8 Dual的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计为在表面安装中工作，该器件也可以用作2N沟道（双）FET型。此外，功率最大值为1.4W，器件提供150V漏极到源极电压Vdss，器件具有FET功能的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.1A，最大Id Vgs的Rds为150mOhm@3.3A，10V，Vgs最大Id为4V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V。
SI7945DP-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR SO-8双供应商器件封装一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如20 mOhm@10.9A，10V，Power Max设计为1.4W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作PowerPAKR SO-8双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有74nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏电流Id为7A。
SI7946DP带有SI制造的电路图。SI7946DPQFN-8封装，是FET阵列的一部分。
