9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7960DP-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7960DP-T1-E3参考价格为1.984美元。Vishay Siliconix SI7960DP-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8。您可以下载SI7960DP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7958DP-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR封装一起工作，数据表中显示了SI7958DP GE3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8双封装外壳中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8双通道，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为1.4W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为40V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为7.2A，最大Id Vgs上的Rds为16.5mOhm@11.3A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为75nC@10V，Pd功耗为1.4W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为17纳秒，上升时间为17 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds导通-漏极电阻为16.5毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为66纳秒，典型的开启延迟时间为17ns，信道模式为增强。
SI7958DP-T1-E3是MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR SO-8双供应商器件封装一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如16.5 mOhm@11.3A，10V，Power Max设计为1.4W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作PowerPAKR SO-8双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有75nC@10V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为40V，25°C的电流连续漏电流Id为7.2A。
SI7960DP带有SI制造的电路图。SI7960DPQFN-8封装，是IC芯片的一部分。
