9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7540DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7540DP-T1-GE3参考价格为1.066266美元。Vishay Siliconix SI7540DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8。您可以下载SI7540DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7540DP-T1-E3是MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于SI7540DP-E3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET/PPowerPAK商品名，该设备也可以用作PowerPAKR SO-8双封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8双通道，配置为单通道，FET类型为N和P通道，功率最大值为1.4W，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极到源极电压Vdss为12V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为7.6A、5.7A，最大Id Vgs的Rds为17mOhm@11.8A、4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为17nC@4.5V，Pd功耗为3.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为50 ns 42 ns，上升时间为50纳秒42 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为11.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为12 V，Rds漏极源极电阻为14 m欧姆26 m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为60ns 54ns，典型接通延迟时间为30ns 35ns，信道模式为增强。
SI7540ADP-T1-GE3是MOSFET N和P-Chnl 20-V D-S，包括Si技术，它们设计用于卷盘封装。
SI7540DP-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET N/P-CH 12V 7.6A 8引脚PowerPAK SO EP T/R。SI7540DP-T1在PowerPAK SO-8封装中提供，是FET阵列的一部分，支持Trans MOSFET N/P-CH 12V 7.6A 8引脚PowerPAK SO EP T/R。
