9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7964DP-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7964DP-T1-E3参考价格为0.586美元。Vishay Siliconix SI7964DP-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8。您可以下载SI7964DP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7962DP-T1-E3是MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7962DP-E3中使用的零件别名，该SI7962DPE-E3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SO-8双封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8双通道，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为1.4W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为40V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为7.1A，最大Id Vgs的Rds为17mOhm@11.1A，10V，Vgs最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为70nC@10V，Pd功耗为1.4W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为15纳秒，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds导通漏极-漏极电阻为17毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55纳秒，典型开启延迟时间为22ns，信道模式为增强。
SI7962DP-T1-GE3是MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm@10V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供晶体管类型功能，如2 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作17mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为1.4 W，该器件采用SI7962DP-GE3零件别名，该器件具有一个包装卷，包装箱为SO-8，通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为7.1 a，并且配置是双重的。
SI7964DP带有SI制造的电路图。SI7964DPQFN-8封装，是FET阵列的一部分。
