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DMHC10H170SFJ-13

  • 描述:场效应管类型: 2个N和2个P通道(H桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A、2.3A 供应商设备包装: V-DFN5045-12 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 9.77791 9.77791
10+ 8.76390 87.63909
100+ 6.83150 683.15030
500+ 5.64337 2821.68900
1000+ 4.45525 4455.25300
3000+ 4.15822 12474.66300
6000+ 4.05023 24301.38000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥9.77792
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9.78
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 场效应管类型 2个N和2个P通道(H桥)
  • 最大功率 2.1瓦
  • 包装/外壳 12-VDFN外露焊盘
  • 供应商设备包装 V-DFN5045-12
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.9A、2.3A
  • 导通电阻 Rds(ON) 160毫欧姆@5A,10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9.7nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1167皮法@25V

DMHC10H170SFJ-13 产品详情

该MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持优异的开关性能,是高效电源管理应用的理想选择。

特色

  • 低导通电阻
  • 低输入电容

应用

  • 高效桥式整流器
DMHC10H170SFJ-13所属分类:场效应晶体管阵列,DMHC10H170SFJ-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMHC10H170SFJ-13价格参考¥9.777915,你可以下载 DMHC10H170SFJ-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMHC10H170SFJ-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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