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MRF1513NT1是IC MOSFET RF N-CHAN PLD-1.5，包括MRF1513NT 1系列，它们设计用于RF功率MOSFET类型，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供单位重量功能，如0.009877盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PLD-1.5封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，增益为15 dB，该器件的输出功率为3 W，器件的Pd功耗为31.25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，工作频率为520 MHz，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏电流为2 a，且Vds漏极-源极击穿电压为40V，且Vgs栅极-源极阈值电压为1.7V，且晶体管极性为N沟道。
MRF1511NT1是RF MOSFET晶体管RF LDMOS FET PLD1.5N，包括1.6V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40V，提供单位重量功能，如0.009877oz，类型设计用于RF功率MOSFET，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为MRF1511NT1，该设备提供62.5 W Pd功耗，该设备有一个包装卷，包装箱为PLD-1.5，输出功率为8 W，工作频率为175 MHz，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-65 C，最高工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为4A，增益为13dB。
MRF1511N，电路图由FREESCALE制造。MRF1511N采用SMD封装，是RF FET的一部分。
MRF1513NT1G，带有FREESCAL制造的EDA/CAD模型。MRF1513NT1G采用HF封装，是IC芯片的一部分。
