[克里,股份有限公司。]
Cree的CGH60120D是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比,氮化镓具有更好的财产,包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与Si和GaAs晶体管相比,GaN HEMT提供更大的功率密度和更宽的带宽。
应用
•双向专用收音机
•宽带放大器
•蜂窝基础设施
•测试仪器
•A类、AB类线性放大器,适用于OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形
特色
•4 GHz时13 dB典型小信号增益
•6 GHz时12 dB典型小信号增益
•120 W典型PSAT
•28 V操作
•高击穿电压
•高温操作
•工作频率高达6 GHz
•高效率