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CGHV1F025S是RF JFET晶体管0至18 GHZ SMT HEMT放大器,包括卷轴封装,它们设计用于SMD/SMT安装方式,其工作温度范围为-40 C至+150 C,提供DFN-12等封装外壳功能,技术设计用于GaN SiC,以及单一配置,该器件也可以用作HEMT晶体管类型。此外,增益为11dB,器件提供25W输出功率,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-40 C,工作频率为15GHz,Id连续漏极电流为2A,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Vgs栅极-源极阈值电压为-3V,晶体管极性为N沟道,开发套件为CGHV1F025S-TB,Vgs栅极-源极击穿电压为-10 V至+2 V。
CGHV1J006D是RF JFET晶体管DC-18GHz 6W GaNGain@10GHz17dB,包括-3V Vgs栅源阈值电压,它们设计为在-10V至+2V Vgs栅极源击穿电压下工作,Vds漏极源击穿电压如数据表注释所示,用于100V,提供HEMT等晶体管类型特性,晶体管极性设计为在N沟道中工作,以及GaN-SiC技术,该器件也可以用作2.3欧姆Rds漏极-源极电阻。此外,该封装为凝胶封装,该器件采用裸片封装外壳,该器件的输出功率为6W,工作频率为10MHz至18GHz,安装方式为SMD/SMT,Id连续漏电流为0.8A,增益为17dB,配置为单级。
带有电路图的CGHV1F025S-AMP1,包括CGHV1F0.025S描述功能的应用电路,其设计用于与相关产品一起使用的CGHV2F025,频率如数据表注释所示,适用于0Hz~15GHz,最高工作温度范围为+150 C,最低工作温度范围-40 C,以及散装包装,该设备也可以用作演示板产品。此外,提供的内容是部分填充板-不包括主IC,该设备在CGHV1F025S工具中提供,用于评估,该设备具有HEMT类型。