有关更多信息,请联系恩智浦半导体。
特色
- 基于新的65 V LDMOS技术,专为易于使用而设计
- 在30至65 V范围内扩展功率范围
- 不匹配的输入和输出
- 高击穿电压可提高可靠性和效率
- 高漏源雪崩能量吸收能力
- 高强度。处理65:1 VSWR。
- 符合RoHS
- 包覆成型塑料封装中的低热阻选项:MRFX1K80N
- 包括在我们的产品寿命计划中,保证在上市后至少15年的供应
- 工业、科学、医疗(ISM)
- 激光生成
- 等离子体产生
- 粒子加速器
- MRI、射频消融和皮肤治疗
- 工业加热、焊接和干燥系统
- 无线电和VHF电视广播
- 航空航天
- 高频通信
- 雷达