9icnet为您提供由onsemi设计和生产的30C02S-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。30C02S-TL-E价格参考$0.04000。onsemi 30C02S-TL-E包装/规格：BIP NPN 0.6A 30V。您可以下载30C02S-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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30C02MH-TL-E是双极晶体管-BJT BIP NPN 0.7A 30V，包括30C02MH系列，它们设计为使用卷轴封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供MCPH-3等封装盒功能，Pd功耗设计为600 mW，以及30 V集电极-发射极电压VCEO Max，该器件也可以用作NPN晶体管极性。此外，发射极基极电压VEBO为5 V，该设备提供700 mA连续集电极电流，该设备具有300 DC集电极基极增益hfe最小值。
30C02MH-TL-H是双极晶体管-BJT BIP NPN 30V 0.7A，包括NPN晶体管极性，它们设计用于30C02MH系列，Pd功耗显示在数据表注释中，用于600 mW，提供卷盘等封装功能，封装盒设计用于MCPH-3，以及SMD/SMT安装样式，该器件也可以用作5V发射极基极电压VEBO。此外，直流集电极基极增益hfe最小值为300，该设备提供700 mA连续集电极电流，该设备具有30 V集电极-发射极电压VCEO最大值。
30C02SS-TL-E，带有SANYO制造的电路图。30C02SS-TL-E采用SOT-723封装，是IC芯片的一部分。
30C02S-T1-E，SAYNO制造的EDA/CAD模型。30C02S-T1-E采用SOT423封装，是IC芯片的一部分。
